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STL60N3LLH5 发布时间 时间:2025/7/22 13:45:18 查看 阅读:9

STL60N3LLH5是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET,适用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供了低导通电阻(Rds(on))和出色的热性能,适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池充电系统等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):60A
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  功率耗散(Ptot):90W
  栅极电荷(Qg):60nC

特性

STL60N3LLH5采用STMicroelectronics的先进沟槽栅极技术,确保了极低的导通电阻(Rds(on))和高效的功率传输,从而减少了能量损耗和发热。其PowerFLAT 5x6封装设计提供了良好的热管理能力,适用于紧凑型高功率密度设计。
  该MOSFET具有高电流承载能力和出色的热稳定性,能够承受高负载条件下的工作压力。此外,其±20V的栅源电压耐受能力增强了器件在高噪声环境中的可靠性,降低了栅极击穿的风险。
  STL60N3LLH5还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路。其低栅极电荷(Qg)有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。

应用

STL60N3LLH5广泛应用于各种电力电子系统中,包括但不限于:
  ? DC-DC转换器和同步整流器
  ? 电池管理系统和充电器
  ? 电机控制和驱动电路
  ? 服务器和通信设备的电源管理
  ? 汽车电子系统,如车载充电器和电动助力转向系统
  ? 工业自动化和电机控制模块

替代型号

IPD60N3LLH5-03, FDD60N3LLH5, STL60N3LLH5A

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STL60N3LLH5参数

  • 其它有关文件STL60N3LLH5 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.1 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1290pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装PowerFlat?(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-11094-6