时间：2025/7/22 13:45:18
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STL60N3LLH5是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET，适用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池充电系统等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：60A
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
功率耗散（Ptot）：90W
栅极电荷（Qg）：60nC
STL60N3LLH5采用STMicroelectronics的先进沟槽栅极技术，确保了极低的导通电阻（Rds(on)）和高效的功率传输，从而减少了能量损耗和发热。其PowerFLAT 5x6封装设计提供了良好的热管理能力，适用于紧凑型高功率密度设计。
该MOSFET具有高电流承载能力和出色的热稳定性，能够承受高负载条件下的工作压力。此外，其±20V的栅源电压耐受能力增强了器件在高噪声环境中的可靠性，降低了栅极击穿的风险。
STL60N3LLH5还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路。其低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
STL60N3LLH5广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于：
? DC-DC转换器和同步整流器
? 电池管理系统和充电器
? 电机控制和驱动电路
? 服务器和通信设备的电源管理
? 汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统
? 工业自动化和电机控制模块
IPD60N3LLH5-03, FDD60N3LLH5, STL60N3LLH5A
