IXFH96N20P 时间：2025/8/6 11:40:33 阅读：27

IXFH96N20P是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率应用，例如电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器。这款MOSFET具有高性能的导通特性和快速的开关能力，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　连续漏极电流(Id)：96A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：400W
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　导通电阻(Rds(on))：最大为19mΩ（典型值为15mΩ）
　　封装类型：TO-247

特性

IXFH96N20P的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流容量和低Rds(on)使其非常适合用于高功率密度应用。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，可减少开关损耗并提高整体系统性能。其TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在高功率条件下的可靠运行。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的耐用性。
　　该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度和减少驱动损耗。其高dv/dt耐受能力确保了在高频开关应用中的稳定性。此外，IXFH96N20P的封装设计支持简单的散热器安装，进一步优化了热性能。这些特性共同使得IXFH96N20P成为工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统和电机控制等高功率应用的理想选择。

应用

IXFH96N20P适用于多种高功率电子系统，包括但不限于电源供应器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备和高频功率放大器。该MOSFET的高电流和高电压特性使其成为需要高效能和高可靠性的工业和汽车电子应用中的理想选择。此外，其优异的热性能和高耐用性也使其适用于严苛环境下的功率控制电路。