时间：2025/7/23 13:12:56
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STL4N80K5 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。该器件广泛应用于电源转换、DC-AC逆变器、电动工具、电机控制以及电池管理系统等高功率密度场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id）@25°C：4A
漏极电流（Id）@100°C：2.5A
导通电阻（Rds(on)）：最大1.65Ω（@Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值为15nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）等
STL4N80K5 采用超级结技术，显著降低了导通电阻并提高了开关性能，从而提升了整体能效。
该器件具备出色的热管理和雪崩能量耐受能力，确保在高温或恶劣工况下仍能稳定工作。
其低栅极电荷设计有助于减少开关损耗，提高电源转换效率，适用于高频开关应用。
此外，STL4N80K5具备良好的短路耐受性，增强了系统的可靠性和安全性。
该MOSFET还具有快速恢复二极管特性，适用于需要反向电流控制的应用场景。
多种封装形式可供选择，适应不同的PCB布局需求，便于散热设计和装配。
STL4N80K5 常用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器、工业自动化设备以及电动工具的功率控制模块。
其高耐压特性和低导通损耗也使其适用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）系统、家电电机控制以及电动车充电设备等高功率应用领域。
此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，提供高效、稳定的功率切换能力。
在家电控制板、工业电机驱动、电源管理模块中也有广泛应用。
STL4N80K5T4、STL5N80K5、STL3N80K5、FQP8N80C、IRF840、SiHP8N80C
