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STL22N65M5 发布时间 时间:2025/7/22 14:51:46 查看 阅读:6

STL22N65M5 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换应用设计,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器和逆变器。STL22N65M5采用先进的超级结(Super Junction)技术,提供极低的导通电阻(Rds(on))和出色的开关性能,从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。该器件的封装形式通常为TO-220或D2PAK,适用于需要高效散热的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):22A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(最大)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):3V至5V
  最大功耗(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220、D2PAK

特性

STL22N65M5 的核心优势在于其采用的超级结技术,这项技术显著降低了导通电阻,同时保持了优异的开关性能,从而实现更低的导通和开关损耗。其高击穿电压(650V)使其适用于高电压输入的电源应用,例如AC-DC电源适配器和工业电源系统。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,提高了系统的稳定性和寿命。
  另一个关键特性是其低栅极电荷(Qg),这有助于减少驱动损耗并加快开关速度,适用于高频开关操作。此外,STL22N65M5的封装设计具备良好的散热性能,确保在高电流工作条件下不会因过热而失效。这种MOSFET还具有较高的抗雪崩能力,能够在极端条件下提供额外的安全裕度。

应用

STL22N65M5 广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括但不限于:开关电源(SMPS)、离线AC-DC转换器、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及电机控制电路。此外,它也适用于LED照明驱动器、不间断电源(UPS)系统和工业自动化设备中的电源模块。由于其高耐压和低导通电阻特性,STL22N65M5也常用于功率因数校正(PFC)电路中,以提高能源利用效率。

替代型号

STP22N65M5, STF22N65M5, IPP22N65CFD7, FQP24N65S

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STL22N65M5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥26.00000剪切带(CT)3,000 : ¥13.03047卷带(TR)
  • 系列MDmesh? V
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)210 毫欧 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1345 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.8W(Ta),110W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(8x8)HV
  • 封装/外壳8-PowerVDFN