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STL20NF06LAG 发布时间 时间:2025/7/22 5:29:33 查看 阅读:5

STL20NF06LAG 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度应用设计,具有低导通电阻(RDS(on))和良好的热性能。STL20NF06LAG采用PowerFLAT 5x6封装,适用于各种电源管理和功率转换应用。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):20A
  最大漏极-源极电压(VDS):60V
  最大栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值35mΩ(在VGS=10V时)
  最大功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

STL20NF06LAG具有多项优良特性,适合高性能功率应用。首先,其低导通电阻可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件采用PowerFLAT 5x6封装,具有良好的热管理性能,能够在高电流和高温环境下稳定工作。此外,STL20NF06LAG的栅极驱动电压范围宽,支持在不同工作条件下实现最佳性能。该MOSFET还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高整体能效。最后,其高耐用性和可靠性使其适用于各种工业和汽车电子应用。
  在实际应用中,STL20NF06LAG表现出优异的动态性能和热稳定性。由于其低Qg(栅极电荷)和Qoss(输出电荷),该器件在高频开关应用中表现尤为出色,能够有效减少开关损耗并提高系统响应速度。此外,该MOSFET的封装设计有助于简化PCB布局,并提升散热效率,从而延长设备使用寿命。STL20NF06LAG还具备良好的短路耐受能力,确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。

应用

STL20NF06LAG广泛应用于多个领域,包括电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、汽车电子和工业自动化等。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择。在汽车电子中,STL20NF06LAG可用于车载充电系统、电机驱动和车身控制模块。在工业领域,该器件适用于PLC、伺服驱动器和智能电表等设备。

替代型号

STP20NF06LTPL, IRFZ44N, STL15N60M5, FDP20N60FM

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STL20NF06LAG参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101, STripFET? II
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)670 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.8W(Ta),75W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN