KP926S2 是一款由 KEC Corporation(韩国电子部件公司)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等电路中。该器件具有高效率、低导通电阻和高功率密度等特点,适用于各类电源设备,包括适配器、LED 驱动器和电池充电器。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流:60A
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:20V
导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型值)
功率耗散:100W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220
KP926S2 的主要优势在于其低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得其在高电流应用中表现出色。此外,KP926S2 具有较高的热稳定性,能够在高功率密度下长时间工作,确保系统的可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动,使其适用于多种控制器和驱动电路。其封装形式为 TO-220,便于安装和散热设计,适用于标准的 PCB 安装工艺。
在安全性和保护方面,KP926S2 设计有良好的雪崩能量耐受能力,能够承受瞬时过电压和过电流冲击,适用于恶劣的工作环境。同时,其低栅极电荷特性也有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。
KP926S2 主要用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和 LED 照明驱动器等应用中。在电源适配器中,该器件能够高效地进行电压转换,提供稳定的输出。在电池管理系统中,它可用于充放电控制电路,确保电池的安全运行。此外,KP926S2 还广泛应用于工业自动化设备和消费类电子产品中,作为高效的功率开关器件。
IRF3710, STP60NF03L, FDP6030L