LH28F008BJT-TTLZB是一款由Renesas(原Intersil)设计的非易失性存储器芯片,属于Flash存储器类别。这款芯片的容量为8Mbit(1M x8),支持快速读取和编程操作,适用于需要可靠数据存储和快速访问的嵌入式系统和工业控制应用。
容量:8Mbit
组织结构:1M x8
电源电压:3.3V或5V可选
封装类型:TSOP
引脚数量:56
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
最大访问时间:70ns
编程电压:内部电荷泵提供高压
编程时间:典型值10ms/sector
数据保持时间:超过10年
擦写周期:100,000次/sector
LH28F008BJT-TTLZB具备高性能和高可靠性的特点,采用闪存技术,支持快速的数据读取和编程功能。该芯片支持3.3V或5V电源供电,提高了在不同系统中的兼容性。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并且适合自动化生产流程。
该器件内置电荷泵电路,可在编程和擦除操作中提供所需的高压,从而减少了对外部电源的需求。芯片被划分为多个扇区(sector),每个扇区可以独立进行擦除和编程操作,这种设计提高了系统的灵活性和效率。同时,该芯片具备较高的擦写耐久性,支持高达100,000次的擦写周期,适合需要频繁更新数据的应用场景。
为了确保数据的安全性和完整性,LH28F008BJT-TTLZB还提供了多种保护机制,包括软件数据锁定功能和硬件写保护引脚。这些功能可以防止意外的数据写入或擦除,从而提高了系统的可靠性。此外,该芯片具有较长的数据保持时间(超过10年),即使在断电情况下也能确保数据的长期存储。
LH28F008BJT-TTLZB广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中,如工业控制器、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统。其高速读取能力和灵活的扇区管理功能,使其非常适合用于存储固件、引导代码、配置数据和用户数据等关键信息。此外,该芯片的高可靠性和宽工作温度范围也使其成为工业和汽车应用中的理想选择。
AM29LV008BT, SST39VF800