时间：2025/7/23 1:18:32
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STL17N3LLH6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET? F7技术制造。该器件专为高效率和高功率密度应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子等需要高电流和低导通电阻的场合。STL17N3LLH6具有优异的热性能和低栅极电荷特性，能够在高频率下运行，同时保持较低的开关损耗。其封装形式为PowerFLAT 5x6 mm，适合表面贴装，便于在紧凑空间中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：17A
最大漏源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：12nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
STL17N3LLH6的核心优势在于其采用的STripFET? F7技术，该技术显著降低了导通电阻（Rds(on)）并优化了开关性能，从而减少了功率损耗和发热。
此外，该MOSFET的低栅极电荷（Qg）使其适用于高频开关应用，能够有效降低动态损耗，提高整体系统效率。
其PowerFLAT 5x6 mm封装不仅体积小巧，还具备优异的热管理性能，通过低热阻设计确保了在高负载条件下的稳定性。
STL17N3LLH6还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性，适合工业级和汽车级应用环境。
器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，便于与多种控制电路兼容，简化设计流程。
综合来看，STL17N3LLH6是一款兼具高性能与高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率和空间要求较高的现代电子系统。
STL17N3LLH6广泛应用于多个领域，包括但不限于高性能电源转换器、同步整流器、电池管理系统、服务器电源、工业自动化设备、电机驱动控制器以及车载充电系统等。
在服务器和数据中心的电源模块中，该器件能够显著提高能源效率，减少散热需求，从而优化整体系统成本。
在电机控制和电池管理系统中，STL17N3LLH6的低导通电阻和快速开关特性能够提升系统响应速度并延长电池续航时间。
此外，该MOSFET也适用于需要高可靠性和紧凑设计的消费类电子产品，如高功率密度适配器和充电器。
由于其优异的热性能，该器件在高环境温度下仍能保持稳定运行，因此也适合用于汽车电子系统，如车载充电器、DC-DC转换器和电机控制器等应用场景。
IPD17N3LLH6, SQJQ17N3LLH6, FDBL17N3LLH6
