类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压（Vds）：650 V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：15 A
　　最大功耗（Ptot）：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24 Ω（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1200 pF
　　输出电容（Coss）：250 pF
　　反向恢复时间（trr）：30 ns

STL15N65M5 MOSFET的核心优势在于其采用的超结技术，这项技术显著优化了器件的导通电阻与开关损耗之间的平衡，使其在高电压应用中表现出色。
　　首先，该器件的导通电阻Rds(on)典型值仅为0.24Ω，这降低了在高电流条件下的导通损耗，从而提高了系统效率并减少了散热需求。对于需要高效能的电源转换器、逆变器和马达控制器来说，这是至关重要的特性。
　　其次，STL15N65M5具备极低的开关损耗，使其非常适合用于高频开关应用。其反向恢复时间（trr）仅为30ns，这有助于减少开关过程中的能量损耗，同时降低电磁干扰（EMI）。
　　此外，该MOSFET具有宽泛的栅极-源极电压范围（±20V），允许使用标准的栅极驱动电路，提高了设计的灵活性。其125W的最大功耗确保了在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
　　STL15N65M5还具备良好的热稳定性和耐用性，能够在-55°C至+150°C的工作温度范围内可靠运行。这种宽温度范围使其适用于各种恶劣的工业和汽车环境。

STL15N65M5 MOSFET因其高电压、高电流能力和高效能特性，广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于AC-DC和DC-DC转换器，特别是在高效率和高频开关的电源供应器中，例如服务器电源、电信设备电源以及工业自动化电源系统。
　　在电机控制应用中，STL15N65M5可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和变频器，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电机控制效率并减少能量损耗。
　　此外，该器件也适用于逆变器系统，例如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，其中需要在高电压和高电流条件下实现高效能的电能转换。
　　在汽车电子领域，STL15N65M5可用于车载充电器（OBC）和电动车辆（EV）的功率管理系统，支持高效能电能转换，并适应汽车环境中的极端温度条件。
　　由于其优异的开关性能和可靠性，STL15N65M5也适用于高功率LED照明驱动器、家电控制模块（如空调、洗衣机等）以及智能电网设备中的功率开关应用。

STL15N65M5的替代型号包括STL15N65M5F、STL15N65M5AG、STL15N65M5TPL、STL15N65M5T4、STL15N65M5T4-AG、STL15N65M5TPL-AG