时间：2025/7/22 16:13:17
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STL115N10F7AG是一款N沟道功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。这款MOSFET专为高电流和高功率应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效的热管理性能。该器件采用PowerFLAT 5x6封装，适用于需要高效能和小尺寸设计的电源管理应用，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：115A
导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装
功率耗散（Ptot）：200W
STL115N10F7AG的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有高电流承载能力，额定连续漏极电流可达115A，适用于高功率密度的设计。
另一个关键特性是其优异的热性能。由于采用PowerFLAT 5x6封装，该MOSFET具有良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定运行。该封装还具有较小的尺寸，适合空间受限的设计。
此外，STL115N10F7AG具备较高的栅极电荷（Qg）参数，使其在高频开关应用中表现良好，适用于高效的开关电源和DC-DC转换器设计。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至12V的驱动电压，从而提供更灵活的设计选择。
该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，可以在瞬态负载条件下提供可靠的性能。此外，它的温度稳定性良好，在高温环境下仍能保持较低的导通电阻变化。
STL115N10F7AG广泛应用于各类高功率电子设备中，尤其适用于电源管理和电机控制领域。在DC-DC转换器中，该MOSFET的低导通电阻和高效能特性可显著提高转换效率，减少热损耗。在电池管理系统（BMS）中，它可用于高电流开关和保护电路，确保电池组的安全运行。
该器件还常用于工业自动化设备中的电机驱动和负载开关，提供可靠的高电流控制能力。此外，在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的充电系统中，STL115N10F7AG可用于高功率整流和能量转换电路。
由于其良好的热管理性能，该MOSFET也可用于高密度电源模块和功率分配系统中，适用于通信设备、服务器电源和UPS（不间断电源）系统。
IPB115N10N3 G
SiR115N10DP-T1-GE3
IRFB4115PBF
