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STL115N10F7AG 发布时间 时间:2025/7/22 16:13:17 查看 阅读:8

STL115N10F7AG是一款N沟道功率MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)制造。这款MOSFET专为高电流和高功率应用而设计,具备低导通电阻(Rds(on))和高效的热管理性能。该器件采用PowerFLAT 5x6封装,适用于需要高效能和小尺寸设计的电源管理应用,如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):115A
  导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  安装类型:表面贴装
  功率耗散(Ptot):200W

特性

STL115N10F7AG的主要特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高整体效率。此外,该器件具有高电流承载能力,额定连续漏极电流可达115A,适用于高功率密度的设计。
  另一个关键特性是其优异的热性能。由于采用PowerFLAT 5x6封装,该MOSFET具有良好的散热性能,能够在高功率应用中保持稳定运行。该封装还具有较小的尺寸,适合空间受限的设计。
  此外,STL115N10F7AG具备较高的栅极电荷(Qg)参数,使其在高频开关应用中表现良好,适用于高效的开关电源和DC-DC转换器设计。器件的栅极驱动电压范围较宽,支持10V至12V的驱动电压,从而提供更灵活的设计选择。
  该MOSFET还具备较高的短路耐受能力,可以在瞬态负载条件下提供可靠的性能。此外,它的温度稳定性良好,在高温环境下仍能保持较低的导通电阻变化。

应用

STL115N10F7AG广泛应用于各类高功率电子设备中,尤其适用于电源管理和电机控制领域。在DC-DC转换器中,该MOSFET的低导通电阻和高效能特性可显著提高转换效率,减少热损耗。在电池管理系统(BMS)中,它可用于高电流开关和保护电路,确保电池组的安全运行。
  该器件还常用于工业自动化设备中的电机驱动和负载开关,提供可靠的高电流控制能力。此外,在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的充电系统中,STL115N10F7AG可用于高功率整流和能量转换电路。
  由于其良好的热管理性能,该MOSFET也可用于高密度电源模块和功率分配系统中,适用于通信设备、服务器电源和UPS(不间断电源)系统。

替代型号

IPB115N10N3 G
  SiR115N10DP-T1-GE3
  IRFB4115PBF

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STL115N10F7AG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥22.26000剪切带(CT)3,000 : ¥11.16866卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, STripFET? F7
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)107A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 毫欧 @ 53A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)72.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5600 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)136W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装,可润湿侧翼
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN