类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000 V
　　最大连续漏极电流（ID）：9 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：36 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.85 Ω（@ VGS = 10 V, ID = 4.5 A）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值 5 V（范围一般为 3～7 V）
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF（@ VDS = 25 V）
　　输出电容（Coss）：约 160 pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极弱内置二极管，不推荐用于续流应用
　　最大功耗（PD）：125 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP

STK396-010M具备出色的高压耐受能力和稳定的高温工作性能，其1000V的漏源击穿电压使其特别适用于高压开关电源场合，例如CRT电视机电源、感应加热设备和工业用高压变换器。该器件的低导通电阻有效减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的能量转换效率，并降低了散热设计的复杂度。此外，其快速的开关响应能力使得它能在高频PWM控制环境下良好运行，减少开关过程中的过渡损耗。
　　该MOSFET采用先进的平面栅极技术制造，确保了器件的一致性和长期可靠性。即使在恶劣的工作条件下，如高温、高湿或电压波动较大的环境中，STK396-010M仍能保持稳定的电气特性，不易发生雪崩击穿或热失控现象。其TO-220FP封装具有优良的散热性能，可通过外接散热片进一步增强热传导效果，适用于持续大电流工作的应用场景。
　　值得一提的是，该器件对栅极驱动信号的要求较为宽松，典型的栅极阈值电压在5V左右，因此可以兼容多种常见的驱动IC或微控制器输出电平。同时，其较高的栅源电压容限（±30V）增强了抗干扰能力，避免因瞬态过压导致器件损坏。虽然该MOSFET内部可能包含一个寄生体二极管，但由于其性能较弱且未作优化，因此不建议将其作为主要的续流路径使用，在实际应用中应外加快恢复二极管或采用同步整流方案以提高效率和安全性。

STK396-010M主要用于各类高压开关电源系统中，包括彩色电视机的主电源电路、大功率LED照明驱动电源、空调室外机的PFC（功率因数校正）电路以及工业电源模块。由于其能够承受高达1000V的电压应力，因此非常适合用于AC-DC转换器中的初级侧开关元件。在一些老式显示器和投影设备中，该器件也被用作行输出开关管，参与高压生成回路的控制。
　　此外，该MOSFET还可应用于逆变焊机、UPS不间断电源、感应加热炉等需要高电压、中等电流切换功能的工业设备中。在电机控制领域，尤其是单相或三相小功率变频驱动器中，STK396-010M可作为上桥臂或下桥臂开关使用，实现对电机绕组的精确通断控制。得益于其良好的热稳定性与抗浪涌能力，该器件在频繁启停或负载突变的工况下依然表现出色。
　　在维修替换场景中，STK396-010M也常被用来替代其他同规格的老型号MOSFET，尤其是在更换已停产元器件时，只要电气参数匹配且封装一致，即可完成直接代换。然而，用户在设计新电路时应注意其相对较高的导通电阻，对于追求极致效率的应用，可能需要考虑选用更低RDS(on)的现代超结MOSFET进行升级。

K2838,KSC3886,KSC3886Y,2SK2838,2SK3564