型号：LE82GL960 SLA5V
　　存储容量：960 Kbit (120 KB)
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作电压：2.3V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOP8 / DFN8
　　时钟频率：最高支持104 MHz（快速读取模式）
　　写入耐久性：100,000次/字节
　　数据保持时间：100年
　　页面大小：256字节/页
　　扇区擦除大小：4KB / 32KB / 64KB
　　写保护功能：软件/硬件写保护
　　供电电流：读取模式下典型值为5mA，待机模式下低于1μA
　　可靠性：具备ECC错误校正和CRC数据完整性校验功能

LE82GL960 SLA5V具备卓越的读写性能和高度灵活性，支持标准SPI指令集，包括READ、FAST READ、WRITE、ERASE、WREN、WRDI、RDSR、WRSR等常用命令，兼容绝大多数主流MCU的SPI外设。其高速读取能力可达104MHz，显著提升系统响应速度，尤其适用于频繁访问存储内容的应用场景。该芯片采用分页编程架构，每页256字节，允许精细的数据更新而无需整块擦除，提高了存储效率和使用寿命。同时，提供多种擦除粒度选择（4KB小扇区、32KB中块、64KB大块），使用户可根据实际需求灵活管理存储空间，优化擦写操作。
　　该器件内置智能写保护机制，支持通过状态寄存器设置局部或全局写保护区域，有效防止程序跑飞或电源波动引起的误写入问题。硬件WP引脚可用于外部控制写保护状态，在调试或升级过程中可物理锁定存储区。此外，芯片具备上电自动保护功能，确保每次上电初期处于只读状态，直到主机明确发出使能指令才允许写操作，极大增强了系统的抗干扰能力和数据安全性。
　　LE82GL960采用低功耗设计，支持多种省电模式，包括待机模式和深度掉电模式，特别适合电池供电或对能耗敏感的应用。其高耐久性（10万次擦写）和长达100年的数据保持能力，使其能够在严苛环境下长期稳定运行。制造工艺基于成熟的CMOS与浮栅技术结合，具备良好的抗辐射和抗噪声性能。ROHM还为其提供全面的质量保证体系，满足AEC-Q100等车规级认证要求的部分版本，扩展了其在车载电子中的适用性。
　　该芯片支持双I/O和四I/O快速传输模式（需确认具体子型号支持情况），进一步提升数据吞吐率。内部集成CRC校验电路，可在读写过程中自动检测数据完整性，配合ECC纠错功能，大幅降低数据出错概率。整体设计注重可靠性、兼容性和易用性，配套有丰富的参考设计、评估板和软件库资源，方便工程师快速实现功能验证与量产导入。

LE82GL960 SLA5V广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、传感器模块、HMI人机界面设备中存储配置参数、校准数据和运行日志；在消费电子产品中，如智能家电、可穿戴设备、无线耳机等，用于保存用户设置、固件补丁和设备序列号信息；在网络通信设备如路由器、交换机、光模块中，承担设备标识、MAC地址、光功率校准表的存储任务；在汽车电子方面，适用于车载T-Box、仪表盘、ADAS辅助驾驶模块等，用于记录车辆状态信息、故障码和标定数据，部分符合车规要求的版本可用于更严苛环境。
　　由于其宽电压工作范围和高抗干扰能力，该芯片也适合部署在电力监控、智能电表、远程抄表系统等工业现场环境中。在医疗设备中，可用于存储患者使用记录、设备校准参数和固件备份，确保关键信息不丢失。此外，LE82GL960还可作为微控制器外部程序存储器，配合Bootloader实现在线升级（OTA）功能，提升产品后期维护便利性。其小巧封装和低引脚数特点，使其非常适合PCB空间紧张的设计，例如模块化小板、SIM卡型设备或IoT节点终端。配合简单的SPI接口，可以轻松与ARM Cortex-M系列、ESP32、STM32、RISC-V等主流MCU连接，缩短开发周期。对于需要长时间断电保存数据且对成本敏感但又要求高品质的项目，LE82GL960 SLA5V是一个理想选择。

M25P80-VMN6P
　　EN25F80-10SI
　　SST25VF080B-104C-PHE