时间：2025/7/22 13:47:16
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STK30N2LLH5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高电流和高电压应用。这款MOSFET采用先进的技术设计，具备高效能和高可靠性，广泛应用于电源管理和功率转换系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：25V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
STK30N2LLH5具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力和高电压耐受能力使其适合于高要求的电源管理应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。STK30N2LLH5采用紧凑的封装设计，节省空间，适用于高密度电路设计。其栅极驱动特性优化，使得开关性能优越，能够减少开关损耗，提高整体系统性能。
该MOSFET的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下也能保持较低的温度上升。同时，其内部结构设计优化，降低了寄生电感，提高了器件的动态性能，适用于高频开关应用。STK30N2LLH5还具备良好的短路耐受能力，增加了系统的安全性与稳定性。
STK30N2LLH5主要用于各种电源管理与功率转换应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电动工具和电机驱动器。此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率LED照明系统中。由于其高可靠性和优异的性能，STK30N2LLH5也适用于要求苛刻的工业和汽车应用环境。
STK30N2LLH5的替代型号包括STK30N2LH5、IRF3710、SiHH28N30C、IPB02N04LA06、FDMS86263
