时间：2025/8/27 15:06:28
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LH5P832D-12T 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等高频率操作环境。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：60 A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：100 W
导通电阻（Rds(on)）：最大 7.3 mΩ（在 Vgs=10V 时）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220AB
LH5P832D-12T 具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用 Rohm 独家的沟槽结构设计，使得在保持高性能的同时具备良好的热稳定性。此外，其 TO-220AB 封装形式提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。LH5P832D-12T 的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，便于集成到多种电源系统中。
该 MOSFET 还具备较高的耐用性和可靠性，在高温环境下仍能稳定工作。其设计支持快速开关操作，减少开关损耗，从而进一步提高整体效率。同时，该器件的封装结构具备良好的机械强度和电气绝缘性能，适合在工业级和汽车电子应用中使用。
LH5P832D-12T 主要应用于高效率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器以及负载开关控制。此外，它也适用于 UPS（不间断电源）、服务器电源、LED 照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率管理模块。由于其高电流能力和低导通电阻特性，该器件特别适合需要高效能和小型化设计的应用场景。
SiR862ADP、IRF1324L2PbF、FDMS86181、R6004END
