STK20N75F3 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):75V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):约25mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):125W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
STK20N75F3 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力,这使得该器件在高功率应用中具有出色的能效表现。其25mΩ的RDS(on)值显著降低了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。
此外,该MOSFET具备高耐压特性,75V的漏源电压额定值使其适用于多种中高压电源转换场景。±20V的栅源电压容限确保了器件在驱动电路中的稳定性,减少了因过压导致损坏的风险。
STK20N75F3 采用TO-220封装,具有良好的热管理和散热性能,能够有效应对高功率工作条件下的热量积聚问题。该封装形式也便于在PCB上安装和散热片的连接,适合工业级应用的需求。
该器件还具备快速开关特性,降低了开关损耗,适用于高频操作环境,如同步整流、DC-DC变换器和电池管理系统。此外,其高温工作能力(最高可达175°C)使其适用于高温环境下运行的系统,如汽车电子、工业电源和电机控制模块。
STK20N75F3 主要应用于需要高效能功率管理的系统中,包括但不限于以下领域:
1. **电源转换系统**:如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器和负载开关,用于提高能效并减少热量产生。
2. **电机控制**:在直流电机驱动和步进电机控制系统中,作为高效率的功率开关器件使用。
3. **电池管理系统**:用于电池充放电控制,确保电池组在安全范围内运行,提高系统稳定性。
4. **工业自动化**:在工业控制模块和PLC系统中,用于电源管理及负载切换。
5. **汽车电子**:用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)以及汽车照明控制模块等应用中。
6. **消费电子产品**:如高性能电源管理模块、UPS不间断电源系统和智能家电的电源控制部分。
IRFZ44N, FDP3632, STP20N75F3