类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：45A（@25°C）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.018Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：100V
　　最大栅极电荷（Qg）：85nC（@VGS=10V）

FQP45N10 MOSFET具备多个关键特性，使其适用于高性能功率电子系统。首先，其100V的漏源电压额定值使其适用于多种中高压应用，例如开关电源（SMPS）、电机驱动和电源管理系统。其次，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)）值，通常在0.018Ω左右，这意味着在高电流条件下，导通损耗非常小，从而提高了系统的整体效率并减少了散热需求。
　　此外，FQP45N10的连续漏极电流额定值为45A，适用于高功率密度设计。其采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高负载条件下稳定运行。同时，该器件的栅极电荷（Qg）相对较低，确保了快速的开关速度，从而降低了开关损耗，提高了动态性能，适用于高频开关应用。
　　FQP45N10还具备较高的热稳定性，工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适应各种恶劣工作环境。其栅极驱动电压范围较宽，可在10V至20V之间工作，提供灵活的驱动设计选项。该器件的阈值电压（VGS(th)）在2.1V至4.0V之间，确保了可靠的导通控制。
　　综合来看，FQP45N10是一款性能优异的功率MOSFET，具有低导通电阻、高电流能力、快速开关速度和良好的热稳定性，适用于各种高功率密度和高效率的电子系统设计。

FQP45N10广泛应用于多种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、电源管理模块以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效能电源转换器和高功率负载切换应用。此外，在电动汽车、太阳能逆变器和储能系统中，FQP45N10也可作为关键的功率开关元件。

IRF45N10D, FDP45N10, FQP40N10, FQP50N10, FQA45N10