型号: 2MBI200UD-120-51
　　制造商: 富士电机（Fuji Electric）
　　类型: 双单元IGBT模块
　　额定集电极电流（IC）: 200A
　　最大集射电压（VCES）: 1200V
　　导通压降（VCEsat）: 典型值约2.1V（在IC=200A，Tj=25℃）
　　开关损耗（Eon/Eoff）: 典型值分别为3.5mJ和4.8mJ（测试条件可能有所不同）
　　工作温度范围: -40℃ 至 +150℃
　　封装类型: 通用型绝缘双列直插式（通用型绝缘模块）
　　安装方式: 底板绝缘安装
　　绝缘等级: 符合UL标准的高绝缘性能

2MBI200UD-120-51 IGBT模块在性能和可靠性方面表现出色，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。该模块采用了先进的硅芯片制造工艺，具有较低的导通压降（VCEsat），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。同时，其优化的芯片结构设计有效降低了开关损耗（Eon/Eoff），使得模块在高频开关应用中也能保持良好的热性能和稳定性。
　　该模块采用双单元结构，内部集成了两个独立的IGBT单元和各自的反并联二极管，便于构建半桥或全桥拓扑结构，适用于多种电力电子变换器设计。模块的封装设计考虑了热管理和机械强度，具备良好的散热性能和长期运行的可靠性。此外，2MBI200UD-120-51的底板绝缘设计简化了安装过程，并提高了系统的电气安全性和抗干扰能力。
　　该模块的工作温度范围较宽（-40℃至+150℃），适应多种恶劣工作环境，同时也具备较强的抗热循环能力和机械振动能力，适用于工业级和高要求的应用场景。

2MBI200UD-120-51 广泛应用于需要高功率和高可靠性的电力电子系统中。其典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、电机控制装置、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机以及感应加热设备等。由于其双单元结构和良好的热性能，该模块非常适合构建半桥、全桥等拓扑结构，适用于需要高效率和高功率密度的场合。此外，该模块的高绝缘性能和可靠的封装设计也使其适用于对电气安全要求较高的工业自动化系统和新能源设备中。

2MBI200U4B120-50, 2MBI200U4B120-60, 2MBI150UD-120-50, 2MBI250UD-120-50