时间：2025/12/25 22:30:15
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STK10C68-SF45 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了标准SRAM的高速读写性能和非易失性存储的特性，能够在系统断电时自动将SRAM中的关键数据保存到内部集成的非易失性存储单元中，并在上电时恢复数据。这种功能使其特别适用于需要在电源故障或系统重启时保留重要运行数据的应用场景。
STK10C68-SF45 采用 45ns 的快速访问时间，支持高速总线接口，兼容标准异步SRAM的操作时序，因此可以无缝替代传统SRAM，而无需修改现有电路设计。其内部集成了锂电池、非易失性控制器以及存储阵列，构成一个完整的自包含非易失性存储解决方案。器件封装为44引脚的SOJ（Small Outline J-lead），符合工业级温度范围要求，广泛应用于工业控制、通信设备、医疗仪器和嵌入式系统等领域。
型号：STK10C68-SF45
制造商：STMicroelectronics
存储容量：8 K × 8 位 / 64 Kbit
访问时间：45 ns
工作电压：5 V ± 10%
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：44-pin SOJ (Small Outline J-lead)
接口类型：并行异步接口
写保护功能：硬件WP引脚控制
数据保持时间（非易失性）：典型值10年（断电状态下）
自存储（AutoStore）功能：支持
软件启动存储（Software Store）功能：支持
电源电压监测：内置POR（上电复位）和低电压检测电路
STK10C68-SF45 的核心特性之一是其集成化的非易失性存储架构，它将一个8KB的静态RAM与一个非易失性存储模块结合在一起，后者通常基于EEPROM或类似技术，并配备了一个内置锂电池作为后备电源。当系统正常运行时，该芯片表现为一个标准的高速SRAM，具有45ns的访问速度，能够满足高性能嵌入式系统的实时数据缓存需求。所有数据读写操作都直接在SRAM部分进行，确保了最快的响应时间和最简单的接口协议。
在系统断电或电压下降至阈值以下时，芯片内部的电源监控电路会立即检测到这一变化，并自动触发“自存储”（AutoStore）过程。在此过程中，当前SRAM中的全部内容会被复制到非易失性存储区，整个过程由芯片内部控制器自主完成，无需外部处理器干预。一旦电源恢复，器件会在初始化阶段自动执行“上电恢复”（Power-Up Recall）操作，将上次保存的数据重新载入SRAM，从而实现数据的无缝延续。
此外，STK10C68-SF45 还支持“软件启动存储”（Software Initiated Store）功能，允许用户通过特定的写序列主动触发数据保存操作，这在计划性关机或定期备份场景中非常有用。为了防止误写或数据损坏，芯片提供了硬件写保护引脚（WP），当该引脚被拉低时，禁止对存储器的写入操作。同时，内置的上电复位（POR）电路确保每次上电时芯片处于已知的稳定状态，避免因电压不稳定导致的数据错误。
该器件的设计强调可靠性和长期稳定性，尤其适合部署在恶劣环境下的工业设备中。其SOJ封装便于表面贴装，且具备良好的热性能和机械强度。由于其完全集成的结构，使用STK10C68-SF45 可以显著减少PCB上的元件数量，省去外接电池和复杂的数据保护逻辑，简化系统设计并提高整体可靠性。
STK10C68-SF45 主要应用于那些对数据完整性有极高要求的工业和嵌入式系统中。例如，在工业自动化控制系统中，PLC（可编程逻辑控制器）常常需要记录工艺参数、运行状态或故障日志等关键信息，这些数据必须在突然断电后仍能完整保留。STK10C68-SF45 能够在这种情况下自动保存现场数据，确保系统重启后可以快速恢复运行，避免生产中断或数据丢失。
在通信基础设施设备如路由器、交换机和基站控制器中，该芯片可用于存储配置信息、MAC地址表或临时会话数据，保证在网络设备重启或维护后能迅速加载原有设置，提升服务连续性。医疗设备也是其重要应用领域之一，例如监护仪、影像设备和诊断仪器，它们需要在断电时保存患者数据或校准参数，STK10C68-SF45 提供了一种高可靠性的解决方案。
此外，金融终端设备如POS机、ATM机中的交易缓冲数据存储，以及测试测量仪器中的采样中间结果暂存，都可以利用该芯片的优势。航空航天和军事电子系统中，由于其对极端温度和振动的耐受能力，也常选用此类NVSRAM产品来保障任务关键数据的安全。总而言之，任何需要在无外部电池支持下实现高速、可靠、非易失性数据存储的场合，STK10C68-SF45 都是一个理想的选择。
M4K256-55NS1
