F93L00DMQB 时间：2025/8/24 20:27:28 阅读：3

F93L00DMQB 是 VISHAY（威世）公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A（在 25°C）
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 4.2mΩ（典型值，VGS = 10V）
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热

特性

F93L00DMQB 具备优异的导通性能和开关特性，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗。其低 RDS(on) 特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 采用先进的 PowerPAK SO-8 封装，具备良好的热管理和双面散热能力，适用于紧凑型设计和高功率密度应用。器件还具有良好的稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，适应多种控制电路的需求。