STI23NM60ND 时间：2025/7/22 8:38:18 阅读：10

STI23NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的技术制造，具备优异的导通和开关性能，适用于电源转换、电机控制、照明系统等多种电子系统。STI23NM60ND具有较高的耐压能力和低导通电阻，能够在高电压和大电流条件下稳定工作，同时提供良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：23A（在TC=100℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220FP
　　功率耗散（PD）：125W
　　栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V
　　漏极-源极导通电压（VDS(on)）：在ID=11.5A时为3.5V（典型值）

特性

STI23NM60ND采用了意法半导体的高效功率MOSFET制造技术，具备出色的电气性能和可靠性。其主要特性包括高耐压能力、低导通电阻、高电流承载能力以及优异的开关性能。该器件能够在高电压条件下提供较低的导通损耗，从而提高系统效率。此外，STI23NM60ND具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行，适用于对散热要求较高的应用。其TO-220FP封装形式便于安装和散热设计，广泛应用于各类功率电子设备。
　　STI23NM60ND的栅极驱动特性优化，降低了开关损耗，并且在高频工作条件下依然保持良好的性能。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。同时，该器件具有较高的抗短路能力，能够在突发负载变化的情况下提供一定的保护作用。
　　另外，STI23NM60ND的封装设计考虑了电气隔离和散热需求，TO-220FP封装不仅具备良好的机械强度，还提供了较高的绝缘性能，适用于需要与主电路隔离的场合。该器件的可靠性经过严格测试，符合工业级标准，能够在恶劣环境中稳定运行。

应用

STI23NM60ND广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、照明控制系统（如LED驱动电源）、家用电器（如微波炉、洗衣机、空调）以及工业自动化设备等。在这些应用中，STI23NM60ND能够实现高效的功率转换和稳定的开关控制，满足对高效率和高可靠性的需求。此外，该器件还可用于逆变器、变频器以及电动工具等高功率便携设备中，提供稳定的功率输出。