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INN4075C-H181-TL 发布时间 时间:2025/8/7 2:03:02 查看 阅读:13

INN4075C-H181-TL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该芯片专为需要高速数据存取的应用设计,例如网络设备、通信系统、工业控制设备和消费电子产品等。INN4075C-H181-TL 提供了出色的性能和可靠性,是许多现代电子系统中的关键组件。

参数

类型:DRAM
  型号:INN4075C-H181-TL
  容量:64Mbit
  组织方式:4M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  速度:10ns(最大)
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

INN4075C-H181-TL 芯片具有多项显著的性能特点。首先,它是一款高速DRAM芯片,存取时间仅为10ns,能够满足高性能系统的数据处理需求。其次,该芯片采用低功耗设计,在保持高速运行的同时,有效降低能耗,延长设备的使用寿命。此外,其工作电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的电源适应性,适用于多种应用场景。INN4075C-H181-TL 还采用54引脚TSOP封装,具备良好的热稳定性和机械可靠性,适合在工业环境和高要求的电子设备中使用。该芯片的存储容量为64Mbit,组织方式为4M x 16,能够提供较大的数据存储空间,满足复杂系统的运行需求。最后,其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在极端环境条件下依然能够稳定工作,适合工业级和汽车电子应用。

应用

INN4075C-H181-TL 被广泛应用于需要高速数据存取的系统中。例如,在网络设备中,该芯片用于高速缓存数据,提高数据传输效率。在通信系统中,它用于临时存储和处理大量数据,确保系统运行流畅。此外,INN4075C-H181-TL 也常用于工业控制设备,如PLC、HMI等,提供稳定可靠的数据存储支持。在消费电子产品中,例如高清电视、智能家电等,该芯片用于存储临时数据和运行程序,提升设备性能。由于其宽温范围和高可靠性,INN4075C-H181-TL 也适用于汽车电子系统,如车载导航、ADAS系统等,确保在各种环境条件下都能稳定运行。

替代型号

IS42S16400J-6T, CY7C1041CV, A64S16A256A2B4-6A

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INN4075C-H181-TL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,800 : ¥23.25828卷带(TR)
  • 系列InnoSwitch?4-CZ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 输出隔离隔离
  • 内部开关
  • 电压 - 击穿750V
  • 拓扑反激
  • 电压 - 启动-
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)-
  • 占空比-
  • 频率 - 开关140kHz
  • 功率 (W)90 W
  • 故障保护限流,超温,过压,短路
  • 控制特性EN,频率控制,软启动
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 封装/外壳24-PowerSMD 模块(0.425",10.80mm) 17 引线
  • 供应商器件封装InSOP-24D
  • 安装类型表面贴装型