STI13NK60Z 时间：2025/7/22 21:06:17 阅读：8

STI13NK60Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的技术，提供优异的热稳定性和电气性能，广泛应用于电源转换器、电机驱动、LED照明和消费类电子产品中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　连续漏极电流(Id)：13A（@25℃）
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏源导通电阻(Rds(on))：0.48Ω（@Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

STI13NK60Z具有低导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压可达600V，适合高电压应用环境。
　　内置快速恢复二极管特性，提升开关性能，减少开关损耗。
　　其TO-220FP封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，确保在严苛工况下的可靠性运行。
　　STI13NK60Z还支持高频开关操作，适用于诸如DC-DC转换器、PFC电路和马达控制等应用。

应用

STI13NK60Z广泛应用于各种功率电子设备，包括AC-DC电源适配器、LED驱动电源、家用电器（如微波炉、洗衣机）、工业自动化设备、马达控制模块、光伏逆变器以及智能电表等场景。
　　其高耐压和低导通电阻的特性使其成为高效能开关电源（SMPS）中的理想选择。
　　在消费类电子产品中，它常用于负载开关、电池充电管理及直流马达控制等方面。
　　此外，该器件也适用于需要高可靠性和高稳定性的工业控制与自动化系统。