STH9NA80 时间：2025/7/23 0:05:19 阅读：8

STH9NA80是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的电源应用，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制和照明系统。STH9NA80采用了先进的制造工艺，具备优异的导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够承受高达800V的漏源电压（Vds），非常适合在高压环境中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：9A（在Tc=25℃时）
　　最大导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（在Vgs=10V时）
　　最大漏极功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220
　　导通阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V（在Id=1mA时）
　　输入电容（Ciss）：1200pF（典型值）

特性

STH9NA80具备多项优良特性，使其在高压功率MOSFET中表现出色。首先，它的高耐压能力（Vds=800V）使其适用于高压电源系统和工业控制设备。其次，低导通电阻（Rds(on)=0.85Ω）有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽（±30V），使其兼容多种驱动电路，增强了设计的灵活性。
　　该器件的封装为TO-220，具有良好的散热性能，适合高功率密度应用。TO-220封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。STH9NA80的导通阈值电压较低（2.0V至4.0V），使其能够在较低的栅极电压下导通，适用于低电压控制电路。
　　另外，该MOSFET的动态特性优良，输入电容较小（Ciss=1200pF），有助于减少开关损耗，提高开关速度。这对于高频开关应用尤为重要，如DC-DC转换器和LED照明驱动器。STH9NA80还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提升系统可靠性。

应用

STH9NA80广泛应用于各种电力电子系统中，尤其是在需要高耐压和高效率的场合。常见的应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，用于AC-DC转换器，提高转换效率并减小电源体积。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：用于高电压输入的升压或降压转换器，如光伏逆变器和电池管理系统。
　　3. 电机驱动和控制：适用于高压电机驱动器，如变频器和伺服驱动系统。
　　4. 照明系统：用于LED驱动器，尤其是高功率LED照明应用。
　　5. 工业自动化设备：作为高电压开关，用于继电器、接触器和电磁阀的控制电路。
　　6. 家用电器：如电磁炉、微波炉等需要高耐压MOSFET的家电产品。