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STH9NA80 发布时间 时间:2025/7/23 0:05:19 查看 阅读:5

STH9NA80是由STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的电源应用,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制和照明系统。STH9NA80采用了先进的制造工艺,具备优异的导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,能够承受高达800V的漏源电压(Vds),非常适合在高压环境中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):800V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):9A(在Tc=25℃时)
  最大导通电阻(Rds(on)):0.85Ω(在Vgs=10V时)
  最大漏极功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:TO-220
  导通阈值电压(Vgs(th)):2.0V至4.0V(在Id=1mA时)
  输入电容(Ciss):1200pF(典型值)

特性

STH9NA80具备多项优良特性,使其在高压功率MOSFET中表现出色。首先,它的高耐压能力(Vds=800V)使其适用于高压电源系统和工业控制设备。其次,低导通电阻(Rds(on)=0.85Ω)有助于降低导通损耗,提高系统效率,并减少发热。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围宽(±30V),使其兼容多种驱动电路,增强了设计的灵活性。
  该器件的封装为TO-220,具有良好的散热性能,适合高功率密度应用。TO-220封装也便于安装在散热片上,以进一步提升热管理能力。STH9NA80的导通阈值电压较低(2.0V至4.0V),使其能够在较低的栅极电压下导通,适用于低电压控制电路。
  另外,该MOSFET的动态特性优良,输入电容较小(Ciss=1200pF),有助于减少开关损耗,提高开关速度。这对于高频开关应用尤为重要,如DC-DC转换器和LED照明驱动器。STH9NA80还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定工作,提升系统可靠性。

应用

STH9NA80广泛应用于各种电力电子系统中,尤其是在需要高耐压和高效率的场合。常见的应用包括:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关器件,用于AC-DC转换器,提高转换效率并减小电源体积。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter):用于高电压输入的升压或降压转换器,如光伏逆变器和电池管理系统。
  3. 电机驱动和控制:适用于高压电机驱动器,如变频器和伺服驱动系统。
  4. 照明系统:用于LED驱动器,尤其是高功率LED照明应用。
  5. 工业自动化设备:作为高电压开关,用于继电器、接触器和电磁阀的控制电路。
  6. 家用电器:如电磁炉、微波炉等需要高耐压MOSFET的家电产品。

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STP9NK80Z, FQA9N80C, IRF840, STW9NK80Z

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