时间：2025/8/6 11:17:30
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IXTA76P10T 是一款由 IXYS 公司制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高功率开关应用。这款 MOSFET 设计用于高效能、高可靠性的电源管理系统，具有低导通电阻和良好的热稳定性。IXTA76P10T 采用 TO-263 封装，适合用于表面贴装技术。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：76A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263
功率耗散：310W
热阻（RθJA）：0.40°C/W
IXTA76P10T 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。这种 MOSFET 在设计上优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，非常适合高频开关应用。此外，IXTA76P10T 具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，适用于严苛的工作环境。
该器件的另一个显著特点是其高电流承载能力，允许在紧凑的设计中实现高功率密度。IXTA76P10T 还具备较高的耐用性和可靠性，能够在长期运行中保持性能不变。此外，该 MOSFET 提供了优良的短路保护能力，有助于防止在异常工作条件下损坏器件。
由于采用了先进的制造工艺和材料，IXTA76P10T 在电气性能和机械性能上都表现出色。其封装设计有利于有效的散热，确保了在高功率操作时的可靠性。
IXTA76P10T 广泛应用于各种高功率电子设备中，如电源供应器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制器以及电池管理系统。此外，该 MOSFET 也适用于工业自动化设备、电信基础设施和汽车电子系统中的功率管理部分。由于其高可靠性和优异的电气性能，IXTA76P10T 也非常适合用于需要高效率和高稳定性的高端电源管理应用。
IXTA76P10TA2, IXTA76P10T1, IXTA76P10T1S
