时间：2025/7/23 9:35:10
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STH8N80FI 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，采用N沟道增强型结构，适用于高电压和高功率应用场景。该器件具有低导通电阻和高耐压能力，适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏源电压（VDS）：800V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220FP
STH8N80FI 具备出色的导通性能和快速开关能力，其低导通电阻（RDS(on)）有效减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具有高耐压特性，可承受高达800V的漏源电压，适用于高电压输入环境。其TO-220FP封装设计有助于良好的散热性能，确保在高功率运行下的稳定性。同时，该器件还具备较高的抗雪崩能力和热稳定性，增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的最大栅源电压，使其在不同驱动电路中具有良好的兼容性。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。STH8N80FI 还具有较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于提高整体系统的动态响应和效率。
STH8N80FI 常用于多种高电压和高功率电子设备中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、工业控制系统、LED照明驱动器以及家用电器中的电源管理模块。此外，它也适用于光伏逆变器、电池充电器和智能电表等需要高效功率管理的场合。
STF8NM80, STD8NM80T0, STW8NM80
