STH80N05 时间：2025/7/22 5:31:08 阅读：14

STH80N05是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电流、低电压应用。这款MOSFET以其高效率和低导通电阻而闻名，适用于多种电力电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：80A
　　漏源电压（VDS）：55V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为7.5mΩ（典型值可能更低）
　　封装类型：TO-220或D2PAK（根据具体型号）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

STH80N05的主要特性包括其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件能够在高电流条件下稳定工作，并具有良好的热性能，使其适用于需要高功率密度的设计。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频应用。其坚固的结构设计使其在恶劣的工作环境下仍能保持稳定性能。
　　在应用方面，STH80N05通常用于电源管理电路、DC-DC转换器、电机控制、电池充电系统以及各种工业和汽车电子设备中的功率开关。由于其高可靠性和效率，这款MOSFET也常用于需要高效能功率转换的场合，如太阳能逆变器和电动工具驱动电路。
　　该器件的封装形式通常为TO-220或D2PAK，便于在印刷电路板上安装，并具有良好的散热性能。STH80N05的栅极驱动要求相对较低，适合与常见的驱动电路配合使用。