STH80N05是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高电流、低电压应用。这款MOSFET以其高效率和低导通电阻而闻名,适用于多种电力电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):80A
漏源电压(VDS):55V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值为7.5mΩ(典型值可能更低)
封装类型:TO-220或D2PAK(根据具体型号)
工作温度范围:-55°C至+175°C
STH80N05的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件能够在高电流条件下稳定工作,并具有良好的热性能,使其适用于需要高功率密度的设计。此外,该MOSFET具有快速开关特性,适合用于高频应用。其坚固的结构设计使其在恶劣的工作环境下仍能保持稳定性能。
在应用方面,STH80N05通常用于电源管理电路、DC-DC转换器、电机控制、电池充电系统以及各种工业和汽车电子设备中的功率开关。由于其高可靠性和效率,这款MOSFET也常用于需要高效能功率转换的场合,如太阳能逆变器和电动工具驱动电路。
该器件的封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于在印刷电路板上安装,并具有良好的散热性能。STH80N05的栅极驱动要求相对较低,适合与常见的驱动电路配合使用。
STH80N05的应用领域包括但不限于:电源管理单元、DC-DC降压和升压转换器、电机控制电路、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率开关。
IRF1405, IPW90R070C3, STB80N05