类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-323（SC-76）
　　极性：单路，阳极朝向标记端
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A
　　正向压降（VF）：典型值0.35V（在10mA时），最大值0.5V（在100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大值0.1μA（在25°C，24V时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约450°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMT）

AS3W-K肖特基二极管具备卓越的低正向导通压降特性，典型值仅为0.35V，在10mA工作电流下即可实现高效的能量转换，显著降低功耗并减少发热。这一特性使其在电池供电设备和低电压系统中尤为重要，能够有效延长电池寿命并提升整体系统效率。与传统的PN结二极管相比，肖特基结构利用金属-半导体接触形成势垒，避免了少数载流子的存储效应，从而实现了极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计。这种快速响应能力使其非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器中的续流和箝位电路，能够有效抑制电压尖峰并提高系统稳定性。此外，AS3W-K具有较低的反向漏电流，在25°C和24V反向电压下最大仅为0.1μA，保证了在待机或低功耗模式下的高阻断性能，减少了不必要的能量损耗。
　　该器件采用SOD-323小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），便于自动化贴片生产，适用于高密度印刷电路板设计，特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网终端等空间受限的应用场景。其工作结温范围宽达-55°C至+125°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，可在严苛的工业和车载环境中可靠运行。AS3W-K还具有较高的峰值浪涌电流承受能力（可达1A），在瞬态过流条件下仍能保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。此外，该器件符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。综合来看，AS3W-K凭借其高效、快速、小型化和环保的特点，成为众多低功率整流与保护应用的理想选择。

AS3W-K广泛应用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的电源管理电路，作为防止电池反接的保护二极管或为DC-DC转换器提供续流路径。在电源适配器、USB充电器和AC-DC电源模块中，AS3W-K可用于次级侧的高频整流，利用其低正向压降提升转换效率。此外，它也常用于各类信号线路的静电放电（ESD）保护、电压箝位和噪声抑制电路中，保护敏感的IC免受瞬态电压冲击。在工业控制领域，AS3W-K可作为传感器接口电路中的隔离二极管或逻辑电平转换电路的一部分。由于其快速响应特性，该器件还适用于高频开关电源、PWM控制电路以及电机驱动电路中的自由轮续流二极管。在汽车电子系统中，尽管其额定电压较低，但在低功率辅助电路如车载信息娱乐系统、LED照明控制和车身电子模块中仍有应用潜力。总体而言，AS3W-K适用于所有要求高效率、小体积和高可靠性的低压直流系统。

RB751S-30、MBR0520、BAT54C、PMMS2802ADR、SMS34