类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：60 V
　　漏极电流（Id）@25°C：4.1 A
　　漏极脉冲电流（Id,脉冲）：16.4 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)@4.5V Vgs：27 mΩ
　　导通电阻Rds(on)@10V Vgs：23 mΩ
　　阈值电压Vgs(th)@250μA：1.1 V ~ 2.0 V
　　输入电容Ciss：580 pF @ 10V Vds
　　输出电容Coss：140 pF @ 10V Vds
　　反向恢复时间trr：18 ns
　　最大工作结温Tj：150 °C
　　封装/外壳：PG-SOT23-3 (SOT23)

IRKL56/06具备出色的导通性能和开关速度，得益于英飞凌先进的TrenchMOS沟槽型场效应晶体管技术，使其在同类产品中具有领先的低导通电阻表现。其在4.5V栅极驱动电压下Rds(on)仅为27mΩ，显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率。这一特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，有助于延长续航时间。器件的低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）进一步减少了驱动损耗和开关延迟，提高了高频开关应用中的响应速度和能效。
　　该MOSFET采用SOT23小型封装，体积紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，尤其适合空间受限的设计。尽管封装小巧，但其热性能经过优化，能够有效传导热量，结合良好的PCB散热设计可支持持续4.1A的漏极电流。此外，器件具有良好的雪崩耐受能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换过程中的鲁棒性。
　　IRKL56/06的栅极阈值电压范围为1.1V至2.0V，支持3.3V甚至更低逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低成本。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的抗干扰裕度，防止因栅极过压导致的器件损坏。同时，该器件具有低反向恢复电荷（Qrr）和快速反向恢复时间（trr=18ns），在同步整流或半桥拓扑中可减少体二极管反向恢复带来的开关损耗和电压尖峰，提升系统稳定性。
　　英飞凌对该器件实施严格的质量控制流程，确保高可靠性和长寿命。其150°C的最大结温允许在高温环境下稳定运行，适用于工业级和消费级应用。此外，产品符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（视具体批次而定），可用于部分车载电子系统。整体而言，IRKL56/06是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的N沟道MOSFET，是现代高效电源管理设计的理想选择。

IRKL56/06广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，用于控制电池与主系统之间的连接，实现节能和安全上电时序。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可作为同步整流开关使用，凭借其低Rds(on)和快速开关特性提高转换效率。此外，它也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中，提供高效的电流控制能力。
　　在电池管理系统（BMS）中，IRKL56/06可用于充放电控制开关，确保电池安全运行。其低导通电阻减少了发热，避免因温升导致保护机制误触发。该器件还常见于USB电源开关、热插拔控制器、LED驱动电路以及各种需要高效开关功能的嵌入式系统中。由于其SOT23封装易于自动化贴装，适合大规模生产，因此在消费类电子产品、工业控制模块、智能家居设备和物联网终端中均有广泛应用。

IRLML6344TRPBF,BSS138K,SI2302DS,DMG2302U,SZ2302A