时间：2025/7/22 5:32:07
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STH185N10F3-6是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻和优异的热性能。适用于电源管理、电动工具、电动汽车以及工业控制等需要高功率密度和高可靠性的场景。该MOSFET采用TO-247封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：185A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：约5.5mΩ（最大值）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：320W
STH185N10F3-6具有多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作时，导通损耗大大降低，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得电流分布更加均匀，提升了器件的稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，TO-247封装提供了良好的散热性能，使得器件在高温环境下仍能稳定工作。该器件的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
STH185N10F3-6还具备较强的抗过载和短路能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
STH185N10F3-6广泛应用于各种高功率电子系统中，包括直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统、电动工具、电动汽车充电系统以及工业自动化设备。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效电源转换和电机控制应用的理想选择。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、储能系统和太阳能逆变器等高可靠性应用。
STH200N10F3-6, STH160N10F3-6, IPW90R120C3, IPP110N10N3
