时间：2025/7/29 17:43:58
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STH15NB50是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点。STH15NB50广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和各种高功率电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：15A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-220FP
STH15NB50 MOSFET采用了先进的功率MOSFET制造技术，具备优异的开关性能和低导通损耗。其主要特性包括：
1. 低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率；
2. 高耐压能力（500V Vds）使得该器件能够适用于高压应用环境；
3. 高电流容量（15A）使其在高功率负载条件下仍能保持稳定运行；
4. 快速开关特性，适用于高频率开关操作，进一步提高系统的响应速度和效率；
5. 内置栅极保护二极管，防止静电放电（ESD）对器件造成损坏；
6. TO-220FP封装具有良好的散热性能，适合高功率密度应用。
STH15NB50适用于多种高功率和高频率开关应用，包括：
1. 电源管理系统中的DC-DC转换器和AC-DC转换器；
2. 电机驱动电路和电动工具控制器；
3. 电池充电器和储能系统；
4. 工业自动化设备和电力电子装置；
5. 高频开关电源（SMPS）和逆变器设计。
STP16NF50, IRFZ44N, FDP15N50
