时间：2025/7/22 7:56:56
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STH10NC60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率、高可靠性和高性能的应用场景，特别是在电源管理和功率转换领域中广泛应用。STH10NC60 采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性，使其成为中高功率应用的理想选择。
类型：N沟道
最大漏极电流：10A
最大漏源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω @ Vgs=10V
栅极电荷：24nC
最大功耗：32W
封装类型：TO-220
STH10NC60 MOSFET具有多项显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，该器件的最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于各种高压应用场景。同时，其最大漏极电流为10A，能够满足较高功率需求的电路设计要求。
其次，STH10NC60的导通电阻（Rds(on)）为0.65Ω，这一低阻值特性有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。在高频率开关应用中，较低的导通电阻可以减少功率损耗，从而提高电源转换效率。
此外，该MOSFET的栅极电荷为24nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，提高开关速度，这对于高频开关电源和DC-DC转换器尤为重要。
STH10NC60还具备良好的热性能，最大功耗为32W，使其能够在较高温度环境下稳定工作。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。
该器件广泛适用于各种功率电子设备，如开关电源、电机控制、照明驱动、逆变器以及工业自动化设备等。由于其高性能和可靠性，STH10NC60在工业、消费类电子产品和汽车电子中均有广泛应用。
STH10NC60 MOSFET常用于需要高效能和高可靠性的功率电子电路中。典型应用包括AC-DC和DC-DC开关电源、LED照明驱动电路、电机控制和驱动器、逆变器系统、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也适用于需要高电压和中等电流能力的消费类电子产品和工业设备。
STP10NK60Z, FQP10N60C, IRFBC40
