时间：2025/6/4 19:56:06
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FV31N221J202EEG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于多种功率转换应用。
该型号的主要特点是其高效率和可靠性，使其在工业、消费类电子产品和通信设备中得到了广泛应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：20nC
总电容：1100pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263
FV31N221J202EEG 的主要特性包括：
1. 高效率：由于其低导通电阻，能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输出电容使得器件能够在高频条件下保持高效运行。
3. 热稳定性强：支持的工作结温范围较广，确保在极端环境下的可靠运行。
4. 优化设计：特别适合 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。
5. 可靠性高：通过了严格的测试流程，保证在各种应用场景中的长期稳定性。
Fairchild 的这款 MOSFET 经过精心设计，满足现代功率电子系统对高性能和高可靠性的需求。
FV31N221J202EEG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机控制：适用于小型直流电机驱动和风扇控制。
3. 电池管理：作为电池保护电路中的关键组件，提供充放电控制功能。
4. 负载开关：实现电源通断控制，同时减少能量损耗。
5. 工业自动化：用作继电器替代方案，提升系统的响应速度和寿命。
此款 MOSFET 的多功能性和高效性能使其成为众多功率管理应用的理想选择。
FV31N221JTRG, FDP5802, IRFZ44N
