时间：2025/4/29 9:20:10
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STGWT60H65DFB是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压MOSFET，采用Trench栅极技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用，如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等。其额定电压为650V，最大连续漏极电流为60A，能够满足高性能功率应用的需求。
额定电压：650V
最大连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷（典型值）：140nC
输入电容：2000pF
开关速度：快速
封装形式：TO-247
STGWT60H65DFB具备出色的电气性能，包括较低的导通电阻和栅极电荷，从而提高了效率并降低了功耗。该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在恶劣环境下可靠工作。
其采用的Trench技术使其在高频应用中表现出色，同时保持了较高的电流承载能力。此外，该器件内置了ESD保护电路，增强了系统的鲁棒性。
STGWT60H65DFB广泛应用于工业和消费类电子领域，例如开关电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动和各类DC-DC转换器等。由于其高电压和大电流处理能力，特别适合需要高效功率转换和高可靠性的场景。
此外，该器件也适用于汽车电子中的辅助功能模块，例如电动车窗、座椅调节系统和照明控制等。
