时间：2025/7/22 21:11:38
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STGWT30V60DF 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率密度、高性能的碳化硅（SiC）功率MOSFET晶体管，采用先进的SiC技术制造，具备低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于高效率、高频率的电源转换应用，如电动汽车充电系统、工业电源、太阳能逆变器和储能系统等。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：30A（Tc=25°C）
最大功耗（Ptot）：175W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-247
STGWT30V60DF 采用先进的碳化硅半导体技术，具有极低的导通电阻（Rds_on），典型值为45mΩ，从而显著降低了导通损耗。该器件的开关损耗非常低，使其非常适合高频开关应用，从而减小了磁性元件的尺寸并提高了系统效率。
此外，该MOSFET具有优异的热性能，可支持高达175°C的工作温度，确保在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。该器件还具备高短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性。
STGWT30V60DF 还采用了标准的TO-247封装，便于与其他MOSFET或IGBT器件进行引脚兼容设计，简化了电路板的布局和散热管理。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计。
STGWT30V60DF 广泛应用于高效率电源转换系统，如电动汽车车载充电器（OBC）、快速充电桩、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能光伏逆变器以及储能系统的DC-DC转换器和DC-AC逆变器模块。其高频工作能力使其成为高频开关电源和高效能电源适配器的理想选择。
SCT30N60AL (ROHM), SiC MOSFET 600V 30A TO-247
