类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：35V
　　漏极电流（ID）：20A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大15mΩ（在4.5V栅极驱动）
　　栅极电压（VGS）：-20V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PG-TDSON（表面贴装）

HGT1S20N35G3VLS9A 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在4.5V栅极驱动电压下RDS(on)最大仅为15mΩ，确保了在低压应用中的高效性能。
　　其次，该MOSFET采用了英飞凌先进的OptiMOS?技术，优化了开关行为，显著降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。这种技术还提高了器件的热稳定性和可靠性。
　　此外，HGT1S20N35G3VLS9A具有高电流承载能力，在25°C环境温度下可承受高达20A的连续漏极电流。它还具备良好的热性能，封装设计支持良好的散热效果，适合在紧凑型电源设计中使用。
　　该器件采用PG-TDSON表面贴装封装，适合自动化生产流程，并具备优异的机械和热稳定性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于恶劣的工业环境和汽车应用。
　　最后，该MOSFET具备高雪崩耐量，增强了在异常工作条件下的可靠性。其栅极氧化层设计坚固，具备良好的抗静电（ESD）能力。

HGT1S20N35G3VLS9A 广泛应用于各种高效率电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。由于其低RDS(on)和高电流能力，该器件特别适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备和工业控制系统的电源模块。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、DC-DC转换器和电动助力转向系统（EPS）。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于严苛的汽车环境。
　　此外，HGT1S20N35G3VLS9A 还可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和LED照明驱动电路等应用，以提升系统效率和功率密度。

BSC010N03LS、IRF3708、SiS340DN、FDMS86101、IPB013N03LG