时间：2025/4/30 12:14:14
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STGWA25M120DF3是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽式结构设计，属于MDmesh?系列。该器件具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能，非常适合用于工业电源、适配器、LED照明以及各类开关模式电源（SMPS）等应用。其额定电压为1200V，最大导通电阻较低，能够在高频条件下实现高效功率转换。
该MOSFET的设计优化了热性能和电气性能，使其在恶劣的工作环境下也能保持稳定运行。此外，STGWA25M120DF3采用了TO-247封装形式，能够提供良好的散热性能，便于实际应用中的安装和集成。
型号：STGWA25M120DF3
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-247
漏源极击穿电压（BVdss）：1200V
连续漏极电流（ID）：25A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，在Vgs=15V时）
栅极电荷（Qg）：65nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2290pF（典型值）
总功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
STGWA25M120DF3具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定电压为1200V，适用于高压应用场景，例如太阳能逆变器和工业电源等。
2. 超低导通电阻：在Vgs=15V时，导通电阻仅为85mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和输出电荷使得该MOSFET能够在高频下实现快速开关，从而减少开关损耗。
4. 稳定性强：得益于MDmesh?技术，器件在高温和高压环境下表现出色，可靠性高。
5. 优异的热性能：采用TO-247封装，具有大尺寸引脚，能够有效散发热量，延长器件寿命。
6. 宽工作温度范围：支持从-55°C到+175°C的工作温度区间，适合各种极端环境下的应用。
STGWA25M120DF3广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 太阳能逆变器：用于光伏系统的功率调节和能量转换。
3. 工业电机驱动：适用于各种电机控制场景。
4. LED驱动器：用于高亮度LED照明系统的电源管理。
5. 电池充电器：为锂电池和其他类型电池提供高效的充电解决方案。
6. PFC电路：用作功率因数校正电路中的开关元件，提升系统的功率因数和效率。
STGWA25M120D, STGWA25M120NF3
