类型：晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：典型值1.2V
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入正向电流（IF）：最大60mA
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：800V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　输出集电极电流（IC）：最大150mA
　　电流传输比（CTR）：50% - 600% @ IF = 10mA, VCE = 5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值4μs
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值3μs
　　封装形式：表面贴装（SMD-4）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级
　　UL认证：UL1577 认证
　　CSA认证：符合CSA Component Acceptance Notice #5
　　VDE认证：符合EN60747-5-2 标准

4N80L-TN3-R的核心优势在于其高耐压能力和稳定的电流传输特性，能够在高压环境下提供可靠的信号隔离功能。其输出端的集电极-发射极击穿电压高达800V，使其特别适用于开关电源、逆变器、电机驱动等高电压应用中，作为反馈控制或驱动信号的隔离元件。该光耦在输入侧使用高效的红外LED，确保在较低的驱动电流下仍能有效激发光电晶体管，从而降低系统功耗并提高能效。
　　该器件的电流传输比（CTR）范围宽泛，典型值在50%至600%之间，这使得它可以在较宽的输入电流范围内保持良好的线性响应，适应不同负载条件下的信号传输需求。同时，其响应时间较短，开启时间典型值为4微秒，关断时间为3微秒，能够满足中高速数字信号隔离的需求，适用于PWM信号传输、逻辑电平转换等场景。
　　4N80L-TN3-R采用表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还便于大规模自动化生产，提升了生产效率和产品一致性。其封装材料具有优良的绝缘性能，隔离电压可达5000 VRMS，能够有效防止高压窜入低压控制电路，保障系统安全。此外，该器件通过了UL、CSA和VDE等多项国际安全认证，符合工业级应用的安全规范。
　　该光耦的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、电力设备、医疗仪器等对可靠性要求较高的领域。其高抗干扰能力和良好的长期稳定性，使其在长时间运行中不易出现性能衰减，延长了系统的使用寿命。

4N80L-TN3-R广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压或电流反馈信号安全地传递到初级侧控制器，防止高压影响控制芯片。在逆变器和UPS电源中，它可用于隔离驱动信号，确保控制电路与功率开关器件之间的安全通信。
　　在工业控制系统中，该光耦常用于PLC输入/输出模块、继电器驱动电路以及传感器信号隔离，防止外部干扰或高压瞬变损坏核心控制单元。在电机驱动器中，可用于隔离PWM调制信号，实现对MOSFET或IGBT的隔离驱动。
　　此外，4N80L-TN3-R也适用于通信接口隔离，如RS-232、RS-485等总线系统中，用于增强系统的抗噪声能力和安全性。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和安全认证，可用于患者连接设备的信号隔离，满足医疗安全标准。其他应用还包括电池管理系统（BMS）、电表、工业照明控制以及各种需要高压与低压电路隔离的嵌入式系统。

FOD817, PC817X, TLP521-1, H11AA1, EL817, LTV-817