时间：2025/6/16 16:51:00
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STGWA15M120DF3是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。这款IGBT采用了先进的沟槽场中止技术，具备低导通损耗和开关损耗的特点，适用于高效率功率转换应用。该器件适合在高频和大电流环境下运行，广泛应用于工业、汽车和可再生能源领域。
额定电压：1200V
额定电流：15A
集电极-发射极饱和电压：≤1.8V
最大工作结温范围：-55℃至175℃
总功耗：40W
开通时间：35ns
关断时间：60ns
反并联二极管IF：15A
反向恢复时间：90ns
STGWA15M120DF3是一款针对高效功率转换优化的IGBT。
其主要特点包括：
1. 采用沟槽场中止技术，显著降低了导通和开关损耗。
2. 高耐压能力，额定电压为1200V，能够适应高压环境。
3. 高效散热设计，能够在高温条件下稳定运行。
4. 快速开关速度，减少开关过程中的能量损失。
5. 内置快速恢复二极管，进一步提升系统效率。
6. 优异的热稳定性和可靠性，适合长时间连续运行的应用场景。
STGWA15M120DF3适用于多种高功率应用领域，包括但不限于：
1. 太阳能逆变器
2. 风能发电系统
3. 电机驱动与控制
4. 不间断电源（UPS）
5. 电动汽车牵引逆变器
6. 焊接设备
7. 感应加热设备
其高效性能和高可靠性使其成为众多工业和汽车级应用的理想选择。
FGH15T120BPD_F_I, IRGB30S120DPBF
