类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：30A（常温下）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）或类似表面贴装封装

CJU30N03 MOSFET具有优异的导通性能和开关性能，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在高电流工作时的功率损耗，提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提升了电流密度和热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。
　　此外，CJU30N03具有较强的抗过载能力和较高的雪崩能量承受能力，能够在突发短路或过流情况下提供更好的保护性能。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，适用于多种应用场景。
　　封装方面，CJU30N03通常采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，便于在PCB上安装和布线，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。

CJU30N03广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中，包括但不限于：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC-DC降压/升压转换器
　　- 电池管理系统（BMS）
　　- 电机驱动电路
　　- 负载开关与电源分配系统
　　- 工业自动化控制设备
　　- LED照明驱动电路
　　由于其高效率和良好的热稳定性，CJU30N03特别适合用于对效率和可靠性有较高要求的小型化电源模块和便携式电子设备中。

SiS4410, AO4410, FDS4410