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STGW30NB60H 发布时间 时间:2025/7/22 5:31:20 查看 阅读:8

STGW30NB60H 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率应用。该模块采用了先进的沟道技术和场截止技术,提供了出色的导通损耗和开关损耗平衡,适用于工业电机驱动、逆变器、电源转换系统等领域。STGW30NB60H 具有高可靠性和高效率,是许多高功率电子设备的关键组件。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(VCES):600V
  额定集电极电流(IC):30A
  短路耐受能力:600V/30A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降(VCEsat):约2.1V(典型值)
  开关损耗(Eon/Eoff):Eon=1.5mJ,Eoff=1.8mJ(典型值)
  热阻(RthJC):0.45°C/W
  绝缘等级:符合UL认证

特性

STGW30NB60H IGBT模块采用了先进的沟道和场截止技术,具有优异的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下保持稳定运行。其高短路耐受能力使其适用于需要高可靠性的应用,如电机驱动和逆变器。此外,该模块具有较低的导通压降,有助于提高系统效率并减少发热。
  该模块的封装设计符合工业标准,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于各种严苛环境下的应用。其高绝缘等级和UL认证确保了在高电压应用中的安全性和可靠性。
  STGW30NB60H 还具备出色的抗热疲劳能力,能够在频繁开关操作中保持稳定性能,延长模块的使用寿命。此外,该模块的设计优化了电磁干扰(EMI)特性,有助于降低系统中的噪声和干扰。

应用

STGW30NB60H 常用于工业电机驱动、逆变器、UPS(不间断电源)、电焊机、太阳能逆变器以及各类高功率电源转换系统。其优异的性能和可靠性使其成为许多工业和能源应用中的首选IGBT模块。

替代型号

STGW30NC60H, STGW30NM60T, STGW30NB60W

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STGW30NB60H产品

STGW30NB60H参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类IGBT 晶体管
  • 配置Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO600 V
  • 集电极—射极饱和电压2.2 V
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流60 A
  • 栅极—射极漏泄电流100 nA
  • 功率耗散190 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体TO-247-3
  • 封装Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic60 A
  • 最小工作温度- 65 C
  • 安装风格Through Hole
  • 工厂包装数量30