IRFR130是一款由Infineon(英飞凌)制造的N沟道增强型功率MOSFET。它广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率切换的应用场景中。
该器件采用了RDS(on)优化设计,能够以较低的导通电阻实现高效的电流传输,同时具备快速开关特性和良好的热性能,适合高频和高效率的电路设计。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):42A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总栅极电荷(Qg):79nC
开关时间:典型值ton=19ns,toff=28ns
工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃
IRFR130具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,这使得其在高频应用中表现出卓越的效率和较低的开关损耗。
此外,它的耐热能力较强,能够在高温环境下可靠运行。器件封装为TO-220,有助于散热管理。
由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET适用于多种工业及消费类电子产品中的功率转换和控制应用。
IRFR130通常用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机控制和驱动
4. UPS系统
5. 太阳能逆变器
6. 各种电池充电电路
这些应用场景充分利用了IRFR130的低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力等优势。
IRFZ44N
STP55NF06
IXFN45N06T2
FDP55N06L