类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCE）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：25A
　　短路耐受能力：6μs
　　工作温度范围：-40°C至150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　导通压降（VCE_sat）：典型值为2.1V
　　开关损耗（Eon/Eoff）：分别为1.2mJ和0.8mJ
　　热阻（Rth）：0.35K/W
　　工作频率：最高可达50kHz

STGW25H120DF2具有低导通压降和低开关损耗的特点，能够在高电压和大电流条件下保持高效运行。其短路耐受能力为6μs，使得该模块在过载和短路情况下具备良好的保护性能。此外，该模块的封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率密度应用中的稳定性。
　　该IGBT模块还具备优异的热性能，热阻仅为0.35K/W，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。其工作频率可高达50kHz，适用于需要高频开关的应用场景，如逆变器和电机驱动系统。模块内部集成了多个IGBT单元和反向二极管，确保电流的稳定传输和系统的可靠性。
　　STGW25H120DF2的封装形式为双列直插式（DIP），便于安装和维护。模块内部的芯片布局和封装材料经过优化设计，能够在高温和高湿环境下保持良好的电气性能和机械强度。此外，该模块符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的应用场合。

STGW25H120DF2广泛应用于各种高功率电力电子系统中，如工业电机驱动、可再生能源系统（太阳能逆变器、风力发电变流器）、电动汽车充电设备、UPS不间断电源以及智能电网设备等。其高效能和高可靠性的特点使其成为现代电力电子系统中的关键组件。

STGW25H120DF2AG-36970809-2853351