STGP7NC60HD是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压MOSFET,属于PowerMOS系列。该器件采用TO-247封装形式,适用于高电压、大功率的应用场景。其额定漏源极电压为600V,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于工业电源、电机驱动、逆变器以及其他高压转换设备中。
额定电压:600V
最大电流:7A
导通电阻:1.8Ω
栅极电荷:35nC
输入电容:1350pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
STGP7NC60HD具备出色的电气性能,特别是在高电压条件下表现优异。它拥有较低的导通电阻,能够减少导通损耗并提高效率。此外,其快速开关速度有助于降低开关损耗,从而在高频应用中表现出色。
器件内部采用了先进的制造工艺,保证了高可靠性和长寿命。同时,它支持较宽的工作温度范围,适应多种恶劣环境条件下的使用需求。
该芯片还具有良好的热稳定性,能够在高负载下保持稳定的性能输出。其坚固的设计使其能够承受瞬态电压冲击,提高了系统的整体安全性。
STGP7NC60HD广泛应用于需要高压切换和高效能管理的场合。典型应用包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 工业电机驱动
3. 不间断电源(UPS)系统
4. 太阳能逆变器
5. 高压直流-直流转换器
6. 电动车充电设备
这些应用充分发挥了STGP7NC60HD的高耐压、低功耗以及快速响应的优势。
STGPN60HD
IRFP460
FQA8N60C