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STGP7NC60HD 发布时间 时间:2025/4/29 18:16:05 查看 阅读:20

STGP7NC60HD是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压MOSFET,属于PowerMOS系列。该器件采用TO-247封装形式,适用于高电压、大功率的应用场景。其额定漏源极电压为600V,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于工业电源、电机驱动、逆变器以及其他高压转换设备中。

参数

额定电压:600V
  最大电流:7A
  导通电阻:1.8Ω
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1350pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

STGP7NC60HD具备出色的电气性能,特别是在高电压条件下表现优异。它拥有较低的导通电阻,能够减少导通损耗并提高效率。此外,其快速开关速度有助于降低开关损耗,从而在高频应用中表现出色。
  器件内部采用了先进的制造工艺,保证了高可靠性和长寿命。同时,它支持较宽的工作温度范围,适应多种恶劣环境条件下的使用需求。
  该芯片还具有良好的热稳定性,能够在高负载下保持稳定的性能输出。其坚固的设计使其能够承受瞬态电压冲击,提高了系统的整体安全性。

应用

STGP7NC60HD广泛应用于需要高压切换和高效能管理的场合。典型应用包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 工业电机驱动
  3. 不间断电源(UPS)系统
  4. 太阳能逆变器
  5. 高压直流-直流转换器
  6. 电动车充电设备
  这些应用充分发挥了STGP7NC60HD的高耐压、低功耗以及快速响应的优势。

替代型号

STGPN60HD
  IRFP460
  FQA8N60C

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STGP7NC60HD参数

  • 其它有关文件STGP7NC60HD View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,7A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)25A
  • 功率 - 最大80W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-6735-5STGP7NC60HD-ND