时间：2025/7/22 5:26:11
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STGB8NC60K是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高电压功率晶体管，属于N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的开关应用设计，适用于诸如电源转换器、逆变器、电机驱动和照明系统等应用。STGB8NC60K采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压的特点，使其在高电压和大电流条件下依然能够保持良好的性能。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：8A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（最大1.05Ω）
最大功率耗散（Ptot）：75W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
栅极电荷（Qg）：28nC（典型值）
输入电容（Ciss）：900pF（典型值）
开启电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大栅极电压：±20V
STGB8NC60K具备多项优良特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其高击穿电压（600V）使其适用于中高功率的开关应用，能够承受较高的电压应力，同时保证系统的稳定性和可靠性。其次，低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率，尤其在高电流工作条件下，这一优势更为明显。此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅极结构，优化了电场分布，提高了开关速度并减少了开关损耗，从而在高频开关应用中表现出色。
该器件还具备良好的热稳定性，采用TO-220封装形式，具有较好的散热性能，能够在较高温度环境下稳定工作。其高栅极阈值电压（Vgs(th)）范围（2V至4V）允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了驱动电路设计。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，进一步提升了开关速度，减少了驱动损耗，适用于PWM（脉宽调制）控制电路等高频应用。
STGB8NC60K还具备较高的抗雪崩能力，能够在过压或短路等异常条件下提供一定的保护，增强系统的鲁棒性。这使其在工业电源、电机控制、LED照明驱动以及家电控制等应用中具有广泛的应用前景。
STGB8NC60K广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动电路、照明镇流器、UPS（不间断电源）系统、逆变器以及工业自动化控制设备。由于其具备高击穿电压和较低的导通损耗，该器件特别适合用于需要高能效和高可靠性的电源转换系统。此外，它也可用于消费类电子产品中的功率控制模块，如智能家电、LED驱动器和电源适配器等。在新能源领域，STGB8NC60K还可用于太阳能逆变器和储能系统的功率开关模块。
STF8NM60N, STP8NK60Z, STW8NK60Z, FQA8N60C
