时间：2025/9/7 13:24:37
阅读：14
2SK1254ST-E 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。该MOSFET封装在SOT-223（表面贴装）封装中，适用于紧凑型电源设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(Vds)：60V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：5A
最大耗散功率(Pd)：50W
导通电阻(Rds(on))：0.23Ω（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
2SK1254ST-E MOSFET采用先进的沟槽式工艺技术，具有低导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其快速的开关特性使得该器件非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外，该MOSFET的SOT-223封装形式提供了良好的散热性能，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。该器件还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在较为严苛的工作环境下保持稳定运行。
此外，2SK1254ST-E的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，适用于多种驱动电路设计。其较高的输入阻抗特性也使得该MOSFET在低功耗控制电路中表现出色。该器件还具备较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），有助于减少开关过程中的寄生振荡和驱动损耗，提高系统的稳定性和可靠性。
2SK1254ST-E MOSFET广泛应用于各种电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动控制电路。其低导通电阻和快速开关特性使其特别适合用于需要高效能和小型化设计的开关电源（SMPS）和便携式电子设备电源系统。此外，该器件也可用于LED照明驱动电路、功率放大器以及工业控制系统的功率开关应用。在汽车电子系统中，例如车载充电器、电动工具和电池供电设备中，2SK1254ST-E也能提供稳定的性能支持。
2SK2545, 2SK3018, IRFZ44N, FQP5N60
