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STGB19NC60KDT4 发布时间 时间:2025/5/12 20:11:15 查看 阅读:18

STGB19NC60KDT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的 N 沣道通(N-Channel)功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和高性能的应用场合。STGB19NC60KDT4 的耐压等级为 600V,使其非常适合于高压环境下的电力转换和电机驱动应用。
  这款 MOSFET 提供了出色的动态性能和热稳定性,能够有效降低系统的能量损耗,并且支持高频工作条件。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(RDS(on)):0.28Ω(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:38nC(典型值)
  总开关能量损耗:570mJ(典型值)
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

STGB19NC60KDT4 具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压能力(600V),适用于多种工业级高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少传导过程中的功率损耗。
  3. 快速开关特性,能够支持高频操作并提高系统效率。
  4. 强大的热管理能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
  5. 内置反向二极管,可实现更高效的整流功能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保友好。
  7. 良好的电磁兼容性(EMC)表现。

应用

STGB19NC60KDT4 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 AC-DC 转换器。
  2. 逆变器和 UPS 系统。
  3. 工业电机控制和驱动电路。
  4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源设备。
  5. 电动工具和家电的功率控制模块。
  6. 各类需要高电压、大电流处理能力的电子系统。

替代型号

STGBC19NC60, IRF840, FQA19N60C

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STGB19NC60KDT4参数

  • 其它有关文件STGB19NC60KD View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.75V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)35A
  • 功率 - 最大125W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7007-6