时间：2025/5/12 20:11:15
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STGB19NC60KDT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的 N 沣道通（N-Channel）功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能和高性能的应用场合。STGB19NC60KDT4 的耐压等级为 600V，使其非常适合于高压环境下的电力转换和电机驱动应用。
这款 MOSFET 提供了出色的动态性能和热稳定性，能够有效降低系统的能量损耗，并且支持高频工作条件。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：19A
导通电阻（RDS(on)）：0.28Ω（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：38nC（典型值）
总开关能量损耗：570mJ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
STGB19NC60KDT4 具备以下主要特性：
1. 高击穿电压能力（600V），适用于多种工业级高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导过程中的功率损耗。
3. 快速开关特性，能够支持高频操作并提高系统效率。
4. 强大的热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 内置反向二极管，可实现更高效的整流功能。
6. 符合 RoHS 标准，环保友好。
7. 良好的电磁兼容性（EMC）表现。
STGB19NC60KDT4 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器。
2. 逆变器和 UPS 系统。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源设备。
5. 电动工具和家电的功率控制模块。
6. 各类需要高电压、大电流处理能力的电子系统。
STGBC19NC60, IRF840, FQA19N60C
