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GA0805H123MBXBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:26:46 查看 阅读:4

GA0805H123MBXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频开关电源和电机驱动领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。
  这款芯片特别适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、充电器以及各种工业应用中的功率转换场景。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4mΩ
  Id(持续漏电流):70A
  Qg(栅极电荷):45nC
  Ft(过渡频率):2.2MHz
  Vgs(栅源极电压):±20V
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA0805H123MBXBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在大电流应用中减少功率损耗。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于高效功率转换系统。
  3. 高电流承载能力,能够承受高达 70A 的连续漏电流。
  4. 强化的热性能设计,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 具备出色的抗静电能力,增强器件的可靠性。
  6. 小型化封装,节省 PCB 空间,同时提供优异的散热性能。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
  2. 各类充电器,包括快充技术。
  3. 工业电机驱动和控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 通信设备中的电源管理模块。
  7. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。

替代型号

GA0805H124MBXBR31G, IRF540N, FDP16N60C

GA0805H123MBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-