STF8NM50N 时间：2025/6/4 18:04:01 阅读：5

STF8NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。这款功率MOSFET采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路中。
　　STF8NM50N的主要特点是其较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力，这使得它能够在高效率应用中提供稳定的性能表现。

参数

型号：STF8NM50N
　　类型：N沟道MOSFET
　　VDS（漏源电压）：500V
　　RDS(on)（导通电阻）：1.3Ω（典型值，在VGS=10V时）
　　ID（连续漏极电流）：8A
　　VGS（栅源电压）：±20V
　　PD（总功耗）：125W
　　f（工作频率）：高达1MHz
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

STF8NM50N是一款高性能的MOSFET，具有以下特点：
　　1. 高耐压能力：该器件能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻：RDS(on)在1.3Ω左右（在VGS=10V时），有助于降低导通损耗并提升整体效率。
　　3. 高雪崩击穿能力：具备良好的抗雪崩能力，确保在异常条件下仍能稳定运行。
　　4. 快速开关速度：支持高频操作，适合于现代高效能开关电源和DC-DC转换器。
　　5. 可靠性高：通过严格的测试流程，保证了其在工业环境下的长期可靠性。
　　6. 封装坚固：采用标准TO-220封装，易于安装和散热设计。

应用

STF8NM50N主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流电路。
　　2. DC-DC转换器：作为功率开关元件，实现高效的电压转换。
　　3. 电机驱动：适用于各种直流无刷电机或其他电机控制电路。
　　4. 负载切换：在需要快速响应和低损耗的负载切换电路中使用。
　　5. 电池保护：用于电池组中的过流保护和充放电管理。
　　6. 工业自动化设备：包括各种控制模块和功率输出单元。