STF8NM50N是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET。这款功率MOSFET采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路中。
STF8NM50N的主要特点是其较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力,这使得它能够在高效率应用中提供稳定的性能表现。
型号:STF8NM50N
类型:N沟道MOSFET
VDS(漏源电压):500V
RDS(on)(导通电阻):1.3Ω(典型值,在VGS=10V时)
ID(连续漏极电流):8A
VGS(栅源电压):±20V
PD(总功耗):125W
f(工作频率):高达1MHz
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55°C至+150°C
STF8NM50N是一款高性能的MOSFET,具有以下特点:
1. 高耐压能力:该器件能够承受高达500V的漏源电压,适用于高压应用场景。
2. 较低的导通电阻:RDS(on)在1.3Ω左右(在VGS=10V时),有助于降低导通损耗并提升整体效率。
3. 高雪崩击穿能力:具备良好的抗雪崩能力,确保在异常条件下仍能稳定运行。
4. 快速开关速度:支持高频操作,适合于现代高效能开关电源和DC-DC转换器。
5. 可靠性高:通过严格的测试流程,保证了其在工业环境下的长期可靠性。
6. 封装坚固:采用标准TO-220封装,易于安装和散热设计。
STF8NM50N主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于主开关管或同步整流电路。
2. DC-DC转换器:作为功率开关元件,实现高效的电压转换。
3. 电机驱动:适用于各种直流无刷电机或其他电机控制电路。
4. 负载切换:在需要快速响应和低损耗的负载切换电路中使用。
5. 电池保护:用于电池组中的过流保护和充放电管理。
6. 工业自动化设备:包括各种控制模块和功率输出单元。
IRF540N, STP8NK50Z, FQP8N50