时间：2025/7/22 9:45:09
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STF7NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F7技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于各种高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及工业控制设备。STF7NM60N的封装形式为TO-220，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：7A（在Tc=25℃）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：约2.5V至4.5V
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（最大值）
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
STF7NM60N采用了STripFET F7技术，具有更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的电流处理能力，从而降低了导通损耗并提高了整体效率。其先进的制造工艺也确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性，降低了开关损耗。
该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于要求高可靠性的工业和汽车电子应用。此外，STF7NM60N的TO-220封装形式具有优异的散热性能，便于在PCB上安装和集成。
该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下提供更高的安全裕量，避免因电压尖峰而导致的损坏。这一特性使其适用于开关电源、逆变器、电机控制等容易产生电压波动的应用场景。
此外，STF7NM60N的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至15V之间即可实现充分导通，适用于多种栅极驱动电路设计。
STF7NM60N广泛应用于各类高功率密度电源系统中，包括AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化控制设备。其优异的导通性能和热管理能力也使其适用于需要高效能、高稳定性的车载电子系统，如车载充电器和DC-DC转换模块。
在消费类电子产品中，该器件也常用于高功率LED照明驱动电路、智能家电的电机控制模块等场景。此外，由于其具备较强的抗瞬态过压能力，也适用于需要频繁开关操作的工业电机控制和继电器替代应用。
STF7NM60ND, STF8NM60N, STF12NM60N
