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TDZ2V7J,115 发布时间 时间:2025/9/14 8:15:54 查看 阅读:5

TDZ2V7J,115 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装(SMD)双向电压抑制二极管(TVS - Transient Voltage Suppressor),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电压瞬变和浪涌电流的损害。该器件采用SOD-323(SC-76)封装,适合在空间受限的便携式电子设备和高密度电路板中使用。TDZ2V7J的击穿电压为约2.7V,适用于低压信号线路的过电压保护,尤其是在USB、HDMI、以太网接口等高速数据线路中。

参数

类型:双向TVS二极管
  封装:SOD-323(SC-76)
  最大反向关态电压(VRWM):2.7 V
  击穿电压(VBR):最小2.97 V,典型3.0 V,最大3.3 V
  钳位电压(VC):最大6.8 V(在IEC 61000-4-2 8kV测试条件下)
  峰值脉冲电流(IPP):11.8 A(8/20μs波形)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

TDZ2V7J,115 是一款专为高速数据线路保护设计的双向TVS二极管,具有极低的击穿电压和钳位电压,使其能够在低电压系统中有效吸收静电放电(ESD)和瞬态电压脉冲。其SOD-323封装体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。该器件的最大反向工作电压(VRWM)为2.7V,适合用于保护2.5V或3.3V逻辑电平线路,如USB 2.0、HDMI、SD卡接口等高速接口。其低电容特性(通常小于1pF)确保了在高速信号传输过程中不会造成信号失真或延迟。此外,该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV空气放电)标准,具有良好的抗静电能力。其双向特性使其能够同时保护正负两个方向的过电压事件,适用于差分信号线的保护。TDZ2V7J还具有快速响应时间(通常在皮秒级别)和高可靠性,适用于工业、消费类电子和汽车电子等多种应用场景。

应用

TDZ2V7J,115 主要用于需要对低压信号线进行ESD和瞬态电压保护的场合,包括但不限于:
  ? USB 2.0接口保护
  ? HDMI和DisplayPort接口保护
  ? 以太网接口保护
  ? SD卡和SIM卡插槽保护
  ? 移动电话和平板电脑的数据线保护
  ? 工业控制系统的低电压信号线路保护
  ? 汽车信息娱乐系统中的高速接口保护
  ? 物联网设备中的通信接口保护

替代型号

PESD2V7S1BA, PESD2V7S1BS, TPD3E081-Q1

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TDZ2V7J,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20µA @ 1V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)100 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称TDZ2V7J115